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2011第十屆華東國際電子工業(yè)制造展覽會
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
2011-02-11
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
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優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用
多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳啤Ｆ渌麅?yōu)點還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐...
2011-02-06
高電壓IGBT 太陽能 逆變器
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浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用
電涌保護(hù)器(Surge Protective Device，SPD)又稱浪涌保護(hù)器，是用于帶電系統(tǒng)中限制瞬態(tài)過電壓和導(dǎo)引泄放電涌電流的非線性防護(hù)器件，用以保護(hù)耐壓水平低的電器或電子系統(tǒng)免遭雷擊及雷擊電磁脈沖或操作過電壓的損害。本文介紹浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用。
2011-02-05
浪涌保護(hù)器 SPD 原理 應(yīng)用 計算機系統(tǒng)
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一種低壓程控電源的設(shè)計
在應(yīng)用直流疊加法檢測XLPE電纜絕緣電阻的方法中[1]，為了抵消測量中干擾的影響，要求在測試過程中能變換電源的極性，而且在某段過程中，要求能完全切斷電源。我們利用電力電子器件，實現(xiàn)了一種在測量過程中可控的低壓電源，為實現(xiàn)測量的全面自動化鋪平了道路。
2011-02-01
程控電源 MOSFET 過流保護(hù) 過壓保護(hù)
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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導(dǎo)電薄膜 觸摸面板
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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國內(nèi)醫(yī)療器械基層市場打開 歐美市場面臨挑戰(zhàn)
目前，外資醫(yī)械已在我國高端醫(yī)械領(lǐng)域占據(jù)了重要位置。一方面，中國醫(yī)療器械市場在政策推動下逐漸釋放出誘人的能量，另一方面，西方主要國家市場則處于產(chǎn)業(yè)瓶頸期，企業(yè)倍感壓力。
2011-01-27
醫(yī)療器械 基層 歐美 市場
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2011年拉動國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長的因素還在
展望2011年，拉動國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長的因素還在，一是出口會繼續(xù)增長，二是國內(nèi)消費也在增長。最新研報認(rèn)為，從目前美國經(jīng)濟各項指標(biāo)看，雖然美國的失業(yè)率仍然處于高位（9．8%），并不支持消費水平的大幅度回升，未來6－9個月經(jīng)濟擴張。ISM制造業(yè)景氣判斷指數(shù)連續(xù)第16個月高于景氣榮枯分界點（5...
2011-01-27
電子元器件 消費 增長
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美發(fā)明新生物傳感器可檢測細(xì)菌生長及藥敏性
美國密歇根大學(xué)的研究人員近日發(fā)明出一種新型生物傳感裝置，利用該裝置，無需顯微鏡即可測量出細(xì)菌的生長過程及藥敏特征。研究結(jié)果發(fā)表在1月15日的《生物傳感器與生物電子學(xué)》期刊上。
2011-01-27
新生物傳感器 美發(fā)明新生物傳感器 傳感器
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