【導(dǎo)讀】在做射頻的時(shí)候，選擇電感電容時(shí)特別關(guān)注他們的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它為什么重要？品質(zhì)因數(shù)Q：表征一個(gè)儲(chǔ)能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路所儲(chǔ)能量同每周損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo)。元件的Q值愈大,用該元件組成的電路或網(wǎng)絡(luò)的選擇性愈佳。
或Q=無功功率/有功功率，或稱特性阻抗與回路電阻之比。
Q值越高，損耗越小，效率越高；
Q 值越高，諧振器的頻率穩(wěn)定度就越高，因此，能夠更準(zhǔn)確。
如何理解Q值和ESR值評(píng)估高頻貼片電容器的一個(gè)重要性能指標(biāo)是品質(zhì)因素Q，或者是與其相關(guān)的等效串聯(lián)電阻（ESR）。
理論上，一個(gè)“完美”的電容器應(yīng)該表現(xiàn)為ESR為零歐姆、純?nèi)菘剐缘臒o阻抗元件。不論何種頻率，電流通過電容時(shí)都會(huì)比電壓提前正好90度的相位。實(shí)際上，電容是不完美的，會(huì)或多或少存在一定值的ESR。一個(gè)特定電容的ESR隨著頻率的變化而變化，并且是有等式關(guān)系的。
這是由于ESR的來源是導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)的特性和絕緣介質(zhì)的結(jié)構(gòu)特性。為了模型化分析，把ESR當(dāng)成單個(gè)的串聯(lián)寄生元。過去，所有的電容參數(shù)都是在1MHz的標(biāo)準(zhǔn)頻率下測(cè)得，但當(dāng)今是一個(gè)更高頻的世界，1MHz的條件是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。一個(gè)性能優(yōu)秀的高頻電容給出的典型參數(shù)值應(yīng)該為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；2000MHz，ESR＝0.13Ω。Q值是一個(gè)無量綱數(shù)，數(shù)值上等于電容的電抗除以寄生電阻（ESR）。Q值隨頻率變化而有很大的變化，這是由于電抗和電阻都隨著頻率而變。頻率或者容量的改變會(huì)使電抗有著非常大的變化，因此Q值也會(huì)跟著發(fā)生很大的變化。
定義電容的品質(zhì)因數(shù)，也就是Q值，也就是電容的儲(chǔ)存功率與損耗功率的比：
Qc=(1/ωC)/ESR
Q值對(duì)高頻電容是比較重要的參數(shù)。
自諧振頻率(Self-Resonance Frequency)
由于ESL的存在，與C一起構(gòu)成了一個(gè)諧振電路，其諧振頻率便是電容的自諧振頻率。在自諧振頻率前，電容的阻抗隨著頻率增加而變小；在自諧振頻率后，電容的阻抗隨著頻率增加而變小，就呈現(xiàn)感性；如下圖所示：
隨著頻率升高，電容的不理想模型會(huì)更復(fù)雜：
（C:電容 Rp:絕緣電阻和介質(zhì)損耗 Rs:引線/電極電阻 L:引線/電極電感）
典型的電容器件等效電路如圖1所示。在這個(gè)等效電路中，容值C是最主要的部分，串連電阻Rs和電感L是由于器件管腳引線或電極產(chǎn)生的寄生參數(shù)。并聯(lián)電容Rp是反映電容兩個(gè)管腳之間存。
把以上寄生參數(shù)全部考慮之后，阻抗公式如上面公式。
由于這些寄生參數(shù)的存在，現(xiàn)實(shí)中而非理想中的電容器件的總阻抗由下面表達(dá)式中的實(shí)部和虛部?jī)蓚€(gè)部分組成：
如果可以忽略電極間的泄漏，即Rp的阻抗無窮大（或遠(yuǎn)遠(yuǎn)大 Ls(ESL) Rs (ESR) C 于相對(duì)于容值C的阻抗），那么上面的等效電路可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化為下面的3元模型(如圖所示)。其中ESL為等效串聯(lián)電感Ls， ESR為等效串聯(lián)電阻Rs。
根據(jù)這個(gè)簡(jiǎn)化的電路模型，可以得到電容器件總阻抗隨頻率變化的關(guān)系，如圖所示。由于等效串聯(lián)電感LS的存在，隨著信號(hào)頻率f的增加，電容C的容抗XC降低，而極性相反的等效串連電感Ls的感抗XL 增加，在某一個(gè)頻率點(diǎn)f0，XC=-XL。此時(shí)電容器件的總阻抗|Z|=Rs，我們稱此頻率點(diǎn)f0為自諧振頻率（SRF），小于SRF頻率時(shí)，該器件成電容特性，反之大于SRF頻率，器件發(fā)生極性轉(zhuǎn)化，成電感特性（如圖下圖所示，紅色相位曲線從-90°跳變到+90°）。
Q值相當(dāng)于D值的倒數(shù)。損失角即D值: 一般電解電容器因?yàn)閮?nèi)阻較大故D值較高, 其規(guī)格視電容值高低決定, 為0.1-0.24以下. 塑料薄膜電容器則D值較低, 視其材質(zhì)決定為0.001-0.01以下. 陶瓷電容器視其材質(zhì)決定, Hi-K type 及S/C type為0.025以下. T/C type其規(guī)格以Q值表示需高于400-1000.
注：XC=-j/(2πfC)；XL=j(2πfL)
根據(jù)損耗因子D的定義：D=1/Q=R/|X|>0 將前面的公式代入，得到：
如果可以忽略電極間的泄漏，即Rp的阻抗無窮大（或遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于相對(duì)于容值C的阻抗），損耗因子D的計(jì)算公式大大簡(jiǎn)化為：
如果信號(hào)頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于SRF諧振頻率，則X C >>X L , 即X L 可以忽略，則公式進(jìn)一步簡(jiǎn)化
即上面提到的：
由圖可見，電容器的引線電感將隨著頻率的升高而降低電容器的特性。如果引線電感與實(shí)際電容器的電容諧振，這將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)串聯(lián)諧振，使總電抗趨向?yàn)?W。由于這個(gè)串聯(lián)諧振產(chǎn)生一個(gè)很小的串聯(lián)阻抗，所以非常適合在射頻電路的耦合和去耦電路中應(yīng)用。然而，當(dāng)電路的工作頻率高于串聯(lián)諧振頻率時(shí)，該電容器將表現(xiàn)為電感性而不是電容性。
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