【導(dǎo)讀】電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к涢_啟功能。
電路說明
電源開關(guān)電路，尤其是MOS管電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所示。
圖中一個(gè)MOS管符號代表一個(gè)完成電路
在設(shè)計(jì)時(shí)，只要增加一個(gè)電容（C1），一個(gè)電阻（R2），就可以實(shí)現(xiàn)軟開啟（soft start）功能。
C1、R2實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)功能
軟開啟，是指電源緩慢開啟，以限制電源啟動時(shí)的浪涌電流。在沒有做軟開啟時(shí)，電源電壓的上升會比較陡峭，見下圖：
沒有做軟開啟，電壓上升比較陡峭
加入軟開啟功能后，電源開關(guān)會慢慢打開，電源電壓也就會慢慢上升，上升沿會比較平緩，見下圖：
加入軟開啟，電壓上升比較平緩
浪涌電流可能會令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電，導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定，嚴(yán)重的可能會損壞電路上的元器件。
浪涌導(dǎo)致不穩(wěn)定，甚至損壞電路
電源上電過快過急，負(fù)載瞬間加電，會突然索取非常大的電流。比如在電源電壓是5V，負(fù)載是個(gè)大容量電容的時(shí)候，電源瞬間開啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V，電容充電電流會非常大。如果同樣的時(shí)間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V，那么電流就小得多了，下面從數(shù)學(xué)上分析一下。
電量 = 電容容量 * 電容兩端的電壓，即：
Q = C * U
同時(shí) 電量 = 電流 * 時(shí)間，即：
Q = I * t
所以電流：
I = (CU) / t
從公式可以看出，當(dāng)電容容量越大，電壓越高，時(shí)間越短，電流就會越大，從而形成浪涌電流。
大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負(fù)載也會引起浪涌電流。
原理分析
1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時(shí)，三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平，Q2不導(dǎo)通，進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不導(dǎo)通，+5V_OUT 無輸出。電阻R4是為了在 Control 為高阻時(shí)，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。
2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時(shí)，要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開向后級電路輸出。此時(shí)等效電路圖如下。
此時(shí)電源 +5V_IN 剛上電，使MOS管G極與S極等電勢，即Vgs = 0，令Q1關(guān)閉。
3、電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。
4、此時(shí)將 Control 設(shè)為高電平（假設(shè)高電平為3.3V），則：
①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：
(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA
②三級管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電，即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。
④利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開（導(dǎo)通），實(shí)現(xiàn)了軟開啟的功能。
MOS管打開時(shí)的電流流向如下圖所示：
5、電源打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過程如下圖：
一般情況下還是放心使用軟啟動功能，伴隨而來的軟關(guān)閉效果一般沒什么影響。
電路參數(shù)設(shè)定說明
調(diào)整C1、R2的值，可以修改軟啟動的時(shí)間。值增大，則時(shí)間變長。反之亦然。
作者：LR梁銳
來源：芯片之家
推薦閱讀：
