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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅(qū)動IC
在 使用BH1750測量激光發(fā)射器的強度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內(nèi)部限流保護芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應的 TM1810資料鏈接 ?？紤]到后面可能需要進行相應的激光管的實驗，所以從 TMALL購買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進行測試使用。
2021-09-08
TM1810-3 LED 恒流驅(qū)動IC
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橙色云“麟璣”AI產(chǎn)品亮相中國服貿(mào)會
2021年9月3日，在2021年中國國際服務貿(mào)易交易會首鋼園區(qū)“電信、計算機和信息服務專題展”上，一款AI產(chǎn)品吸引了現(xiàn)場觀眾的駐足。
2021-09-08
橙色云 麟璣 AI產(chǎn)品
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反激同步整流對EMI的影響
過去十年間，移動設備的快速發(fā)展讓手機應用滲透到社會的方方面面。日常生活中，人們幾乎手機不離身。因此，大電池容量及快速充電速度成為手機最關鍵的殺手锏之一，這也對適配器提出了更高額定功率和更高功率密度的需求，且需求正呈指數(shù)級增長。
2021-09-08
反激同步整流 EMI
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
MOSFET 炸機 開關電源
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X-FAB與派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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功率因數(shù)校正
功率因數(shù)定義為設備能夠傳輸?shù)捷敵龆说哪芰颗c其從輸入電源處獲取的總能量之比。它是電子設備設計的關鍵績效指標，很多國家和國際組織都為此制定了相應的法規(guī)。例如歐盟定義了設備必須具備的最小功率因數(shù)或最大諧波水平，滿足其標準才能在歐洲市場進行銷售。
2021-09-06
功率因數(shù) 校正
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解讀數(shù)據(jù)手冊中的熱參數(shù)和IC結(jié)溫
工程師在轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)手冊中的熱阻參數(shù)，并做出有意義的設計決策時常常面臨很多困惑。這篇入門文章將幫助現(xiàn)在的硬件工程師了解如何解讀數(shù)據(jù)手冊中的熱參數(shù)，包括是否選擇 theta 與 psi、如何計算其值；更重要的是，如何更實用地將這些值應用于設計。本文還將介紹應用環(huán)境溫度之間的關系，以及它們與 PCB...
2021-09-06
數(shù)據(jù)手冊 熱參數(shù) IC結(jié)溫
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拒絕內(nèi)卷，伏達重新定義功率“觸頂”趨勢下的充電半導體技術演進路線圖
智能手機性能大戰(zhàn)發(fā)展到今天，硬件比拼已經(jīng)從手機本身拓展到作為手機必備的充電器，無論是無線充電還是有線充電都早已進入快充時代，而對“快”的定義品牌商都不斷刷新新的高度，OPPO、小米、華為、vivo 等手機廠商無一不在快充功能上持續(xù)發(fā)力——從 20瓦 到 120瓦，一場來自手機廠商們的 “快充大戰(zhàn)” 幾...
2021-09-06
伏達 充電 半導體技術
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
IGBT 英飛凌 熱阻
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