【導讀】電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
Q：功率處理怎么理解?
A：一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動作。
Q：高電壓有多高?大電流有多大?
A：電壓處理范圍通常為數(shù)百伏以上，電流為數(shù)十至數(shù)千安。
Q：典型的功率器件有哪些?
A：Diode、GTR、Thyristor、SCR、GTO、MOSFET 、IGBT、MCT、IGCT、IECT、IPEM、PEBB 等。
Q：功率器件這么多，如何分類?
A：按照導通、關斷的受控情況可分為不可控、半控和全控型功率器件;
按照載流子導電情況可分為雙極型、單極型和復合型功率器件;
按照控制信號情況，可以分為電流驅動型和電壓驅動型功率器件。
電子管時代
1904 年英國佛萊明在「愛迪生效應」的基礎上研制出了“熱離子閥”， 從而催生了世界上第一只電子管，稱為佛萊明管(真空二極檢波管)，世界進入電子管時代。當時的佛萊明管只有檢波與整流的作用，性能并不穩(wěn)定，主要用在通信和無線電領域。
真空管時代
1906 年，為了提高真空二極管檢波靈敏度，德·福雷斯特在佛萊明的玻璃管內添加了柵欄式的金屬網，形成第三個極，從此二極管搖身一變，成為三極真空管，并兼具放大與振蕩的功能。
水銀整流器時代
1930 年代 -1950 年代是水銀整流器迅速發(fā)展的 30 年，集聚整流、逆變、周波變流等功用，廣泛應用于電化學工業(yè)、電氣鐵道直流變電、直流電動機的傳動等領域。
第一代功率器件——半控型晶閘管時代
1947 年，貝爾實驗室發(fā)明了由多晶鍺構成的點觸式晶體管，后又在硅材料上得到驗證，一場電子技術的革命開始了。
1957 年，美國通用電氣公司發(fā)明了晶閘管，標志著電力電子技術的誕生，正式進入了以晶閘管為代表的第一代電力電子技術發(fā)展階段。當時的晶閘管主要用于相控電路，工作頻率一般低于 400Hz，較水銀整流器，具有體積小、可靠性高、節(jié)能等優(yōu)點。但只能控制導通，不能控制關斷的半控型特點在直流供電場合的使用顯得很雞肋，必須要加上電感、電容以及其他開關件才能強制換流，從而導致變流裝置整機體積增大、效率降低等問題的出現(xiàn)。
第二代功率器件——以 GTO、BJT、MOSFET、IGBT 為代表的全控型功率器件時代
1970 年代，既能控制導通，又能控制關斷的全控型功率器件在集成電路技術的發(fā)展過程中應運而生，如門極可關斷晶閘管 GTO、電力雙極型晶體管 BJT、電力場效應晶體管功率 MOSFET 等，其工作頻率達到兆赫級，常被應用于直流高頻斬波電路、軟開關諧振電路、脈寬調制電路等。
到了 1980 年代后期，絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)出現(xiàn)，兼具 MOSFET 輸入阻抗高、驅動功率小、開關速度快和 BJT 通態(tài)壓降小、載流能力大、耐壓高的優(yōu)點，因此在中低頻率、大功率電源中運用廣泛。
第三代功率器件——寬禁帶功率器件
隨著以硅材料為基礎的功率器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導體材料制造的電力電子器件顯示出比 Si 和 GaAs 更優(yōu)異的特性，給功率半導體產業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機。
2014 年，美國奧巴馬政府連同企業(yè)一道投資 1.4 億美元在 NCSU 成立 TheNext Generation Power Electronics Institute，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件。
相對于 Si 材料，使用寬禁帶半導體材料制造新一代的功率器件，可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少功率器件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得功率器件使用更少的能量卻可以實現(xiàn)更高的性能。
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請電話或者郵箱聯(lián)系小編進行侵刪。
