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英飛凌推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET

發布時間:2012-05-24

產品特性:
  • 耐壓為1200V
  • 可實現裝置的小型輕量化
適用范圍:
  • 主要用途為光伏發電的逆變器裝置

德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC產品群”,并在2012年5月于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europe 2012”上宣布投產。盡管該公司此前向市場投放過使用SiC材料的肖特基勢壘二極管,但此次是首次實現SiC制結型FET的產品化。SiC型FET將與專用驅動IC組合銷售,2012年第二季度開始樣品供貨。

新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT,便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高于IGBT的工作速度。也就是說,即便提高工作頻率,也能降低開關損失。因此,電感器及電容器等被動元件可使用小型產品,所以能夠實現整個裝置的小型輕量化。

CoolSiC產品群備有導通電阻及封裝方式不同的6款產品。分別為導通電阻為35mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R035T1”,導通電阻為50mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R050T1”,導通電阻為70mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R070T1”、導通電阻為100mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R100T1”,導通電阻為70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”,以及導通電阻為 100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。價格方面,以IJW120R100T1為例,批量購買1000個時美國市場的參考單價預定為24.90 美元。
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