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適用于升壓轉換器、低功率逆變器的功率MOSFET

發布時間:2013-01-10 責任編輯:easonxu

【導讀】Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET,器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間,其低導通電阻可實現更低的導通電阻,從而降低能源消耗,提高效率。


日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,將Vishay的ThunderFET應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業內首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK SC-75 1.6mm x1.6mm和PowerPAK SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件,導通電阻分別小于200m?和100m?。

圖1:功率MOSFET
圖1:功率MOSFET

今天推出的MOSFET適用于升壓轉換器、低功率DC/AC逆變器,以及電信磚式電源、負載點應用和便攜式設備中的LED照明等小型DC/DC轉換器的初級側開關。對于設計者來說,器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間,其低導通電阻可實現更低的導通電阻,從而降低能源消耗,提高效率。另外,MOSFET可在4.5V下導通,簡化了柵極驅動。

在導通電阻比尺寸更重要的應用中,2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導通電阻為83m?和130m?,導通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC,該參數是DC/DC轉換器應用中評價MOSFET的優值系數(FOM)。對于尺寸大小更重要的應用,1.6mm x1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導通電阻為185m?和310m?,在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。

SiB456DK和SiA416DJ進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定,符合RoHS指令2011/65/EU。

新款MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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