【導讀】新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。
簡介：應用
需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關的典型電路可分為：
傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示
具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所示
用于主電流路徑中功率半導體軟開關的輔助諧振電路
雙向開關，如圖 3 所示的矩陣轉換器。
圖 1 反激式
圖2 逆變器
如果IGBT在電壓、電流和頻率方面都適用，那么迄今為止這種開關都是由不具有反向阻斷能力的標準IGBT和串聯(lián)二極管組成。相比之下，單片解決方案具有傳導損耗更少、空間要求和成本更低等優(yōu)勢。
芯片技術
圖4 NPT IGBT（左）和反向阻斷IGBT（右）的芯片結構和符號
圖 4（右）顯示了反向阻斷 IGBT 芯片的橫截面示意圖。繪制的單元結構將繼續(xù)向左延伸，而帶有用于結端接的保護環(huán)的芯片邊緣顯示在右側。幾何形狀基本上對應于 NPT IGBT，如圖 4（左）所示。如果沒有場闌，NPT IGBT 無法阻止邊緣處的顯著負擊穿。使用隔離擴散技術克服了這一限制，該技術在晶閘管芯片的生產(chǎn)中眾所周知：它允許在芯片邊緣折疊反向阻斷 IGBT 較低的 p+ 層，如圖 4 右側所示。這樣，p+ – n- 結保留在芯片內(nèi)，終止于隔離頂部氧化層下方。因此，結點（無論如何都是 IGBT 的一部分）被正確端接，并且能夠像 pn 二極管一樣阻止反向電壓。該措施不會改變芯片有效體積內(nèi)的結構；因此可以預期，除了能夠阻斷反向電壓之外，反向阻斷 IGBT 將表現(xiàn)出與普通 NPT IGBT 類似的操作行為。
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