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如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內詳~~
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動化技術賦能中國基礎設施現代化
許多中國基礎設施和運營（I&O）領導者在實施基礎設施現代化項目時，希望利用自動化技術來簡化和加快IT基礎設施資源的配置、管理和擴展。但是，中國企業的技術團隊往往各自為政，而技術專家又傾向于將自動化僅僅視為現有技術的延伸，導致自動化優先任務之間的相互競爭，各團隊間的協作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動化技術 基礎設施 Gartner
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電源中的分壓器
在電源設計中，可以手動設置所需的輸出電壓。大多數集成電源電路以及開關和線性穩壓器 IC 都是通過分壓器來實現這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產生
交流電 (AC) 不斷反轉方向，交替流向一個方向，然后流向另一個方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰，助力未來電力電子應用
隨著行業不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應用
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠山半導體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實驗：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數消費電子產品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實現長距離傳輸，并降低電壓以實現安全配電。如果沒有變壓器，配電網絡中已經很嚴重的電力浪費將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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如何減少逆變器中的電磁干擾
逆變器是用于將輸入的直流電轉換為輸出交流電的一種電路。逆變器可用于電池供電系統、可再生能源系統、不間斷電源、電機驅動等。逆變器是一種電力電子轉換器，能夠將輸入的直流電轉換為具有所需振幅和頻率的交流電。
2024-10-18
逆變器 電磁干擾
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如何設計 DCM 反激式轉換器
本期，我們將聚焦于DCM 反激式轉換器的設計探討為何在低功耗、低電流應用中DCM 反激式轉換器是一種結構更緊湊、成本更低的選擇并講解完成此類設計的分步方法。
2024-10-13
DCM 反激式轉換器
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