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詳細(xì)解析ESP中傳感器及接口技術(shù)的電路
ESP（電子穩(wěn)定程序）是汽車電控的一個標(biāo)志性發(fā)明。不同的研發(fā)機構(gòu)對這一系統(tǒng)的命名不盡相同，如博世（BOSCH）公司早期稱為汽車動力學(xué)控制（VDC），現(xiàn)在博世、梅賽德—奔馳公司稱為ESP；豐田公司稱為汽車穩(wěn)定性控制系統(tǒng)（VSC）、汽車穩(wěn)定性輔助系統(tǒng)（VSA）或者汽車電子穩(wěn)定控制系統(tǒng)（ESC）；寶馬公司...
2018-01-19
ESP 傳感器 接口技術(shù)
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混合模塊開啟下一場芯片封裝革命
計算機主要組件的封裝幾十年來相對穩(wěn)定，但現(xiàn)在正經(jīng)歷一場革命。例如，在內(nèi)存和中央處理器(CPU)之間已經(jīng)達到散熱和帶寬極限的情況下，業(yè)界正在尋求新的方案來提高性能并降低功耗。最近兩年，引領(lǐng)這一追求的是混合內(nèi)存立方體(HMC)構(gòu)想...
2018-01-17
混合模塊 芯片
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資深老外分享PBGA芯片的返修焊接
PBGA是一種封裝形式，其主要區(qū)別性特征是利用焊球陣列來與基板（如PCB）接觸。此特性使得PBGA相對于其他引腳配置不同的封裝形式（如單列、雙列直插、四列型）有一個優(yōu)勢，那就是能夠?qū)崿F(xiàn)更高的引腳密度。PBGA封裝內(nèi)部的互連通過線焊或倒裝芯片技術(shù)實現(xiàn)。包含集成電路的PBGA芯片封裝在塑封材料中。
2018-01-12
PBGA 返修焊接
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怎么實現(xiàn)基于MEMS姿態(tài)傳感器溫度補償？
基于MEMS姿態(tài)傳感器主要用于載體姿態(tài)的調(diào)整和傾角的檢測，但是由于工作環(huán)境溫度的改變，就會導(dǎo)致測量精度的變化，在一些高精度檢測的要求下，則失去其檢測的效果，所以必須采取相應(yīng)措施來消除或者減少隨溫度變化而引起的誤差，即必須對傳感器進行溫度補償。
2018-01-11
MEMS 傳感器
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Xilinx 任命 Victor Peng 擔(dān)任總裁兼首席執(zhí)行官
賽靈思公司（Xilinx, Inc.）宣布公司董事會已任命 Victor Peng 為總裁兼首席執(zhí)行官 （CEO），任命自 2018 年 1 月 29 日生效。Victor Peng 將成為賽靈思?xì)v史上第四任CEO，其將在公司發(fā)展動能與商機持續(xù)成長之際，為這個全球可編程半導(dǎo)體產(chǎn)品市場的領(lǐng)先企業(yè)掌舵。
2018-01-09
Xilinx 半導(dǎo)體
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Xilinx 公司CEO兼總裁 Moshe Gavrielov 宣布退休
賽靈思公司（Xilinx, Inc.）今天宣布其首席執(zhí)行官（CEO）兼總裁 Moshe Gavrielov 已通知公司董事會，將于 2018 年 1 月 28 日卸任公司及董事會相關(guān)職位。Gavrielov 的引退為他在半導(dǎo)體和軟件相關(guān)企業(yè)中歷時 40 年的輝煌職業(yè)生涯劃下一個完美的休止符。董事會已選出公司原COO（首席運營官）Victor Pe...
2018-01-08
Xilinx 可編程邏輯
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對于利用微變壓器集成隔離功能的原理簡述
過去幾年，光伏(PV)產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展，其動力主要來自居高不下的油價和環(huán)境憂慮。然而，PV成本仍然是妨礙其進一步擴張的最大障礙，要與傳統(tǒng)的煤電相競爭，必須進一步降低成本。在太陽能電池板以外，電子元件(如PV逆變器)是導(dǎo)致高成本的主要元件。
2018-01-05
微變壓器 隔離 原理 PV
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大咖云集！第二屆中國（深圳）智能制造產(chǎn)業(yè)大會順利召開
當(dāng)前，以智能制造為核心的工業(yè)革命新浪潮正在席卷全球。為貫徹《中國制造 2025 》和“互聯(lián)網(wǎng) + ”國家戰(zhàn)略，落實“十九大”精神，為制造行業(yè)上中下游企業(yè)的發(fā)展帶來更大的交流舞臺，開啟 2018 智能制造之路新征程。由深圳伙伴產(chǎn)業(yè)服務(wù)集團、中工招商網(wǎng)、中工智能制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“ 2017 第二屆中...
2018-01-02
智能制造 大咖云集
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功率半導(dǎo)體，大漲價下的國產(chǎn)替代之路
功率半導(dǎo)體器件可以用來控制電路通斷，從而實現(xiàn)電力的整流、逆變、變頻等變換。一般將額定電流超過 1A 的半導(dǎo)體器件歸類為功率半導(dǎo)體器件，這類器件的阻斷電壓分布在幾伏到上萬伏。常見的功率半導(dǎo)體器件有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊等。
2017-12-28
功率半導(dǎo)體 漲價 MOSFET IGBT
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