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SiC MOSFET模塊的硬并聯
以對稱的布板設計來實現4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯
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一個正負5v穩壓電源的簡單制作
在正常情況下我們很難找到一個標準的正負電源，就連我們使用的電池電壓都是正的，如果找到一個負電源那真是很難，而我們又會經常會用到正負電源，這時候我們就得想辦法得到一個正負電源了，今天就教給大家一個非常簡單的方法，讓你輕輕松松制作一個正負5v的穩壓電源。
2022-02-16
正負5v穩壓電源
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。
2022-02-16
SiC FET 功率轉換器
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest獎
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如何進一步優化可實現顯示屏的 LED 驅動器
驅車行駛在城市的大街上時，環顧一下四周，您會看到越來越多的全色 LED 標牌及留言板出現在商店、飯店和辦公大樓的外墻上。隨著 LED 矩陣顯示系統產量的快速增長，廣告標牌現在可提供商店老板可承受的價格。為了支持這一需求，我們正在努力開發新技術，進一步優化可實現這些顯示屏的 LED 驅動器。
2022-02-14
顯示屏 LED 驅動器
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功率半導體電流額定值和熱設計
電流額定值相關的溫度可能與實際工作條件有關，也可能無關。如果有關，電流額定值可用于指示實際應用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環境（如25oC）不會遇到的溫度時得出的值，它就無法提供應用中實際器件能力的信息。該值只能用來比較相似器件在相同溫度時的電流額定值
2022-02-14
功率半導體 電流額定值 熱設計
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一文弄懂IGBT驅動
要了解什么是IGBT驅動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
IGBT驅動
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針對負電壓浪涌的對策及其效果
繼上一篇“正電壓浪涌對策”之后，本文將會通過示例來看針對負電壓浪涌的對策及其效果。
2022-02-11
負電壓浪涌 對策
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅動設計 誤開通
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