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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應(yīng)用的10MBd數(shù)字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規(guī)格的10MBd數(shù)字光電耦合器，適合電源和高功率電機(jī)控制應(yīng)用。Avago是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細(xì)分行業(yè)是產(chǎn)業(yè)升級關(guān)鍵
集成電路等電子元器件細(xì)分行業(yè)，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級推進(jìn)的關(guān)鍵，制約著國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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力科公司宣布實(shí)時帶寬高達(dá)60GHz的示波器新技術(shù)演示成功
力科公司今天宣布：第六代DBI技術(shù)成功地在紐約實(shí)驗室演示。最新一代的技術(shù)使用新的前端芯片，可以提供更低的噪聲以及更高的模擬帶寬。新的半導(dǎo)體工藝可以使新的DBI技術(shù)提供更低的噪聲，實(shí)時帶寬高達(dá)60GHz，是目前業(yè)界已產(chǎn)品化的最高帶寬示波器的2倍帶寬。 目前已在客戶端使用的最快帶寬30GHz示波器...
2010-05-12
60GHz 示波器 力科
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異步電動機(jī)調(diào)速控制
變極調(diào)速是通過改變定子空間磁極對數(shù)的方式改變同步轉(zhuǎn)速，從而達(dá)到調(diào)速的目的。在恒定頻率情況下，電動機(jī)的同步轉(zhuǎn)速與磁極對數(shù)成反比，磁極對數(shù)增加一倍，同步轉(zhuǎn)速就下降一半，從而引起異步電動機(jī)轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速的下降。本文講解異步電動機(jī)調(diào)速的原理和控制電路
2010-05-11
異步電動機(jī) 雙速三相 三速三相
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英飛凌推出大幅延長IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術(shù)
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英飛凌與三菱電機(jī)簽署協(xié)議 攜手服務(wù)功率電子行業(yè)
英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。
2010-05-11
英飛凌 三菱電機(jī) 功率電子 SmartPACK SmartPIM IGBT
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