- 采用IR最新硅技術來實現基準性能
- 滿足40V到250V的寬泛電壓
- 尺寸僅為0.9mm
- 網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源等
國際整流器(IR) 7月2日宣布，將拓展HEXFET功率MOSFET產品組合，提供完整的中壓器件系列，其中采用了5x6mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標準引腳，可提供高額定電流和低導通電阻，因此與需要多個并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”
所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令(RoHS)。
