- 東芝使用應變硅技術將納米線晶體管驅動力提高58%
- 東芝將綜合6月開發的技術和此次的技術來增加導通電流
- 研究20nm以后的微細化
- 推進絕緣膜的薄膜化
東芝證實，通過在納米線晶體管中使用應變硅（Si）技術，可將納米線晶體管的驅動力提高58％。該成果已在“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年12月6～8日，美國舊金山）上發布。
為了實現20nm以后的微細化，業內對多種三維（3D）晶體管構造展開了研究。納米線晶體管就是其中之一。該晶體管采用MOS FET的溝道部分由納米級細線形狀的硅構造。由于柵極包圍著細溝道，因此提高了柵極的控制性，能夠抑制成為微細化課題之一的、短溝道效應導致的泄漏電流增大現象。不過，納米線晶體管的驅動力較低，也就是說存在導通電流小的問題。
此次東芝在納米線晶體管中使用了應變記憶技術（SMT）。通過由柵電極向溝道施加應力使溝道的硅結晶發生應發，由此來提高載流子遷移率。此次試制的晶體管中，n型晶體管的導通電流增加58％（截止電流為 1000nA/nm時）。今后東芝將通過綜合運用2010年6月開發的技術和此次的技術，來增加導通電流。2010年6月開發的技術可通過優化柵極側壁的加工以及旋轉結晶方向，來增加導通電流。東芝的目標是在進行此類技術開發的同時，推進絕緣膜的薄膜化，使導通電流增加2倍以上。
