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技術(shù)詳解:利用嵌入式降低電池功耗

發(fā)布時間:2015-05-05 責(zé)任編輯:echolady

【導(dǎo)讀】本文主要講解利用嵌入式降低功耗的技術(shù)。嵌入式系統(tǒng)一直是設(shè)計的重要因素之一,在便攜式系統(tǒng)中電池壽命取決于系統(tǒng)的功耗。便攜設(shè)備分為使用非充電電池供電和充電電池供電兩種。對于任何應(yīng)用,電池壽命取決于以下因素

所用電池的可用電荷量

應(yīng)用的平均電流消耗

使用充電電池的應(yīng)用還要考慮到另一個參數(shù),那就是電池充電的頻率和每次充電所花的時間。從最簡單的角度說,延長電池使用壽命可通過提高電池容量或降低應(yīng)用的平均電流消耗來實(shí)現(xiàn)。由于電池重量過大會影響系統(tǒng)的機(jī)械約束和成本,因此系統(tǒng)設(shè)計人員只能將電池電量提高到一個限值。在電池化學(xué)技術(shù)的全新發(fā)展不斷提高電池電荷密度的同時,我們還亟需想辦法繼續(xù)降低平均功耗。

應(yīng)用的平均功耗取決于:

1、每個電路組件的功耗

2、應(yīng)用的供電方案以及電力如何通過柵極輸送到設(shè)計的各個部分

3、設(shè)計中的各個組件是如何在不同的工作條件下工作的

4、每個組件的功耗可從各組件的器件數(shù)據(jù)表獲得。了解每個組件的功耗拆分信息非常重要,這有助于設(shè)計出色的系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)低功耗優(yōu)化。

不妨來設(shè)想一個簡單的小型電池供電數(shù)字時鐘。該設(shè)備可用于計時,并在按下按鍵時能顯示當(dāng)前時間。設(shè)備通常處于斷電模式以節(jié)電,只有在檢測到按鍵動作時才會被喚醒并刷新顯示屏。顯示屏和主電路在工作一段時間后會返回斷電模式以節(jié)電。

電路采用RTC計時,用主控制器芯片與RTC通信,并管理顯示屏界面。整個系統(tǒng)大部分時間處于斷電狀態(tài),顯示屏關(guān)閉,主控制器也處于斷電模式,這樣電流消耗可降到最低,所有外設(shè)都關(guān)閉。按鍵則作為喚醒設(shè)備的觸發(fā)器,以獲取RTC數(shù)據(jù)并在顯示屏(通常為LCD)上進(jìn)行顯示。

要分析這種系統(tǒng)的功耗,要看的第一個數(shù)據(jù)就是設(shè)備和顯示屏都處在斷電模式下的典型平均電流是多少。應(yīng)查看每個外設(shè)和控制器的數(shù)據(jù)表,以了解功耗數(shù)據(jù)。為了最大限度地降低功耗并延長電池使用壽命,應(yīng)做到給所有不使用的外設(shè)斷電。在本應(yīng)用中,這個不使用的外設(shè)就是顯示屏。與顯示屏形成對比的是,RTC需要始終進(jìn)行供電,以實(shí)現(xiàn)計時功能。

MCU通常是大多數(shù)系統(tǒng)中總功耗的主要來源。這一點(diǎn)同樣適用于本案例中的應(yīng)用,如果不能選擇并適當(dāng)使用正確的MCU時尤為如此。有很多辦法可降低MCU的功耗,包括但不限于:

1. 降低工作頻率

2. 以更低的工作電壓運(yùn)行

3. 使用低功耗工作模式

MCU能在各種工作頻率上運(yùn)行。然而,不同器件支持的頻率各不相同。MCU的功耗與工作頻率成正比,隨著頻率的升高,動態(tài)功耗也會升高。因此,MCU應(yīng)該以盡可能低的頻率運(yùn)行,同時能夠可靠地滿足系統(tǒng)的需求。

此外,頻率也與時鐘源有關(guān)。設(shè)備支持各種時鐘源選項(xiàng),包括內(nèi)部高速振蕩器、內(nèi)部低速振蕩器、外部晶體振蕩器等。在大多數(shù)情況下,外部晶體可提高精確度,但代價是功耗較高。選擇低功耗時鐘源,往往要權(quán)衡速度和精確度。為選擇適當(dāng)?shù)臅r鐘源,確保系統(tǒng)性能和功耗的完美平衡,應(yīng)該認(rèn)真研究系統(tǒng)要求。

大多數(shù)MCU支持低功耗工作模式,從而滿足低功耗系統(tǒng)設(shè)計的要求。同樣,支持模式的數(shù)量以及每種模式的特性根據(jù)器件會有所不同。應(yīng)適當(dāng)使用低功耗模式,以降低平均功耗。常見的模式包括:

工作模式:MCU正常運(yùn)行。

較低功耗模式:時鐘經(jīng)門控后送至MCU,保持各種寄存器和RAM的狀態(tài)。

最低功耗模式:包括MCU在內(nèi)的所有外設(shè)都斷電。

當(dāng)時鐘經(jīng)門控后送至MCU時,功耗就是靜態(tài)功耗。靜態(tài)功耗取決于幾個因素,包括亞閾值條件和FET中的隧道電流等。此外,隧道電流在小型芯片設(shè)計的FET縮減時會成為主要因素(即尺寸減小使得氧化物的厚度減小)。

今天,我們已經(jīng)擁有在單芯片上實(shí)現(xiàn)完整系統(tǒng)/子系統(tǒng)高度集成的SoC。除了集成度之外,就功耗而言,這些SoC也有助于降低平均功耗,使其低于采用獨(dú)立MCU和分立外設(shè)的情況。

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