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1-2月我國(guó)電子信息制造業(yè)收入增長(zhǎng)35.5%
據(jù)工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年1-2月我國(guó)規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值增長(zhǎng)26.4%，比工業(yè)平均水平高5.7個(gè)百分點(diǎn)，繼續(xù)延續(xù)去年下半年以來(lái)的企穩(wěn)回升態(tài)勢(shì)。
2010-04-09
電子信息 電子元件 通訊設(shè)備 家用視聽 顯示器
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出通過(guò)了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，擴(kuò)展的SuperTan? 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降...
2010-04-09
Vishay 液鉭電容 電容器
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新興市場(chǎng)推動(dòng)液晶電視需求
據(jù)iSuppli公司，由于市場(chǎng)對(duì)互聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)電視(IETV)、3D電視、LED背光和120Hz/240Hz刷新頻率等新功能的需求增強(qiáng)，預(yù)計(jì)液晶電視(LCD TV)市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)。
2010-04-09
顯示器 液晶 電視
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創(chuàng)新是保持半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定關(guān)鍵
據(jù)iSuppli公司，盡管2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%，擺脫2009年的銳減局面，但保持增長(zhǎng)的關(guān)鍵其實(shí)就是兩個(gè)字：創(chuàng)新。
2010-04-09
創(chuàng)新 半導(dǎo)體 晶圓
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IR 推出堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列
新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 100V 的電壓。一些器件還可將 D2Pak-7P 封裝和D2Pak 封裝的最大額定電流分別調(diào)整為 240A 和195A。
2010-04-09
IR 堅(jiān)固耐用 導(dǎo)通電阻 汽車 MOSFET
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元器件：半導(dǎo)體庫(kù)存回補(bǔ)持續(xù)到10 年上半年
10年1-2月，電子信息產(chǎn)品出口720億美元，同比增長(zhǎng)34.6%，比1月份增速下降3.9個(gè)百分點(diǎn)，占全國(guó)外貿(mào)出口的35.3%。其中，電子元件產(chǎn)品出口94億美元，同比增長(zhǎng)50.1%；電子器件產(chǎn)品出口84億美元，同比增長(zhǎng)84.8%。
2010-04-09
元器件 半導(dǎo)體 庫(kù)存 回補(bǔ)
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手機(jī)電池修復(fù)儀的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
針對(duì)鋰離子電池的修復(fù)儀在今后發(fā)展中是必不可少的，因?yàn)殇囯x子電池環(huán)保、節(jié)能的特點(diǎn)，它將是今后發(fā)展中的重點(diǎn)，很多家用電器產(chǎn)品都將逐步采用鋰離子電池。本文講述手機(jī)電池修復(fù)儀的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
2010-04-09
電池修復(fù)儀 鋰離子電池 電池保護(hù)
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解讀LED路燈招標(biāo)的地方保護(hù)主義現(xiàn)象
日前舉行的中國(guó)城市照明節(jié)能高峰論壇上透露出信息，到2012年，“十城萬(wàn)盞”的21個(gè)試點(diǎn)城市將開始大規(guī)模安裝LED路燈，加上其他二線城市積極跟進(jìn)，全國(guó)LED路燈總裝燈量將達(dá)到150萬(wàn)盞。這意味著中國(guó)約70個(gè)一、二線城市的LED路燈市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到150億元。
2010-04-08
LED 路燈 地方保護(hù)主義
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)洌哂械椭?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
2010-04-08
Vishay MOSFET 半導(dǎo)體
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