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如何在48V系統(tǒng)中輕松應用GaN FET?
GaN FET可以應用在48V電源系統(tǒng)中,但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器,工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來實現(xiàn)其高頻和高效率設計。然而,DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器,它只需很少的器件,就可以讓設計人員像使用硅FET一樣簡單地設...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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干貨 | 指定支持Wi-Fi?的MCU時的注意事項
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展趨勢是在一個SoC而非多個離散器件中執(zhí)行更多功能,以精簡物料清單、降低設計風險、減少占用空間。Wi-Fi? MCU即是一個典型,它將Wi-Fi連接與處理器及所需GPIO集成在一起,以滿足多種應用的需求。在指定其中一個器件時,需要考慮多個因素,并需審慎進行選擇,因此務必對這些器件有所...
2021-11-17
Wi-Fi MCU
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保護器件過電應力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效,器件的過應力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應力,當半導體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應力時,元器件發(fā)生失效。應力的種類繁多,如表1,其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應力失效
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基于模型的GAN PA設計基礎知識:GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
在簡單的線性射頻/微波放大器設計中,一般利用s參數(shù)匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會利用這些 S 參數(shù)數(shù)據(jù)來開發(fā)匹配網(wǎng)絡,以解決放大器穩(wěn)定性問題。本文討論在設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過程中,使用模型模擬基本的 S 參數(shù)和穩(wěn)定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩(wěn)定性技術來幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數(shù) 電阻穩(wěn)定性
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分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離,這對SiC技術尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應用中,包括太陽能逆變器,所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
無芯變壓器 柵極驅(qū)動器
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適用于工業(yè)應用的 NAND 閃存
如今,在 NAND 閃存行業(yè)中,隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了 100 層以上的技術,并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業(yè)應用 NAND 閃存
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運算放大器輸出電壓反向問題:正確選型,輕松化解!
當運算放大器的其中一個內(nèi)部級不再具有足夠的偏置電壓并因此關閉時,通常會出現(xiàn)這種情況。這將導致輸出電壓擺幅到相反的供電軌上,直至輸入返回到共模范圍,如下所示(在電壓跟隨器中)。請注意,輸入仍可位于電源電壓軌中,但只能高于或低于某個指定共模限值。
2021-11-12
運算放大器 電壓反向
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在選擇SoC和專用音頻DSP時,這些問題你應該考慮到!
低延時、實時聲學處理是許多嵌入式處理應用的關鍵因素,其中包括語音預處理、語音識別和主動降噪(ANC)。隨著這些應用領域?qū)崟r性能的要求穩(wěn)步提高,開發(fā)人員需要以戰(zhàn)略思維來妥善應對這些要求。
2021-11-12
SoC 專用音頻DSP
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如何最大限度減小電源設計中輸出電容的數(shù)量和尺寸?
電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容,它們耗費資金,占用空間,而且,在遇到交付瓶頸的時候還會難以獲得。所以,如何最大限度減小輸出電容的數(shù)量和尺寸,這個問題反復被提及。
2021-11-12
電源設計 輸出電容
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