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NP110NXXPUJ:NEC低電壓PowerMOSFET系列

發布時間:2009-02-18

產品特點:

  • 新產品采用NEC電子的SuperJunction技術
  • 可最小化開關損耗并提高系統效率
  • SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容
  • 保持極低的導通電阻
應用范圍:
  • 適用于高效率大電流開關應用
  • 汽車工程中的EPS(電子動力轉向)或ABS
  • 低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備

近日,NEC電子(歐洲)推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ,以擴展其低電壓PowerMOSFET系列產品。新產品采用NEC電子的SuperJunction技術,具有杰出的優值系數(FOM),可最小化開關損耗并提高系統效率。

與UMOS-4溝道技術相比,SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容,同時保持極低的導通電阻RDS(on)。該技術通過在溝道單元的有源P-阱下面增加P型摻雜區域來提高摻雜度,從而降低N型外延層的電阻。這意味著在導通電阻不變的情況下可增加設計規則的寬度,從而降低柵電荷。

目前,新產品采用流行的D2PAK封裝將四個元件封裝于內,漏源電壓為40V和55V,并準備量產。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的柵電荷僅為150 nC,導通電阻RDS(on)分別為1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP系列的其他產品一樣,新產品符合AEC-Q101資質,最高通道溫度為175℃,純錫電鍍引腳完全符合RoHS要求。

采用SuperJunction技術的PowerMOSFET產品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ適用于高效率大電流開關應用,包括汽車工程中的EPS(電子動力轉向)或ABS,低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備。

 

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