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FDMA1024NZ/410NZ:飛兆便攜應(yīng)用高效MicroFET MOSFET

發(fā)布時間:2009-03-24

產(chǎn)品特點(diǎn):FDMA1024NZ/410NZ:飛兆推出用于便攜應(yīng)用的高效MicroFET MOSFET

  • 采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝
  • 兩款產(chǎn)品均可確保在VGS低至1.5V時達(dá)到RDS(ON)額定值

應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 適用于鋰離子或原電池應(yīng)用
  • 手機(jī)、電動牙刷和須刨

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件,可為手機(jī)、電動牙刷和須刨等應(yīng)用延長電池壽命。

這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝,適用于空間受限的應(yīng)用,提供出色的功耗和超低RDS(ON) ,能大大延長電池的壽命,這些高效MicroFET MOSFET有助于應(yīng)對現(xiàn)今功能豐富的便攜式應(yīng)用所對的功耗挑戰(zhàn)。

FDMA410NZ為便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了業(yè)界最低的RDS(ON),4.5V時為23 m?,采用纖細(xì) 2mm x 2mm封裝,兩款產(chǎn)品均可確保在VGS低至1.5V時達(dá)到RDS(ON)額定值,適用于鋰離子或原電池應(yīng)用。

飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on)、總柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD),從而獲得出色的開關(guān)性能和熱效率。相比傳統(tǒng)的MOSFET封裝,其先進(jìn)的MicroFET封裝提供了卓越的功耗和傳導(dǎo)損耗特性。

飛兆半導(dǎo)體提供業(yè)界最廣泛的高熱效、超緊湊、薄型2mm x 2mm器件,適合各種低功耗應(yīng)用。這些易于使用、高性能、而且節(jié)省空間的MOSFET是低壓開關(guān)、功率管理和電池充電系統(tǒng)的理想選擇。

價格 (訂購1000個,每個) :  
每個FDMA1024NZ器件為0.42美元
每個FDMA410NZ器件為0.38美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

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