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PSMN1R2-25YL:恩智浦推出Power SO8封裝低于1毫歐RDSon的MOSFET

發布時間:2009-07-16

產品特點:

  • N通道、1毫歐以下導通電阻RDSon

應用領域:

  • 電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器

恩智浦半導體(NXP Semiconductors,由飛利浦創立的獨立半導體公司)宣布推出首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品,型號為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體,可在各種嚴苛應用條件下提供諸多性能及可靠性優勢,如電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓器等。 

恩智浦資深國際市場產品經理John David Hughes先生表示:“在MOSFET制造技術領域,改善性能是一場曠日持久的競賽。我們在新Trench 6工藝中采用創新技術,進一步減小了導通電阻。對客戶而言,這一新的Trench技術為他們帶來許多優勢,例如:提高的硅技術開關效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容。”

恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL,采用Power-S08 (LFPAK)封裝時25 V MOSFET的RDSon是0.9毫歐(典型值),30 V MOSFET的RDSon達到1.0毫歐(典型值)。 

除了全球最低RDSon MOSFET之外,恩智浦還宣布推出面向電源、電機控制和工業市場的新產品系列。該系列產品的工作電壓為25 V、30 V、40 V和80 V,采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。

上市時間:

PSMN1R2–25YL現已上市

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