- 具有低功率損耗和低開(kāi)關(guān)噪聲的性能
- 有利于改善信號(hào)完整性和提高系統(tǒng)精度
- 適合需要對(duì)音視頻和數(shù)字多媒體信號(hào)進(jìn)行路由的應(yīng)用場(chǎng)合
Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開(kāi)關(guān)賓夕法尼亞、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具有低功率損耗和低開(kāi)關(guān)噪聲的性能，有利于改善信號(hào)完整性和提高系統(tǒng)精度
DG721/2/3可使用單路1.8V～5.5V電源進(jìn)行工作，采用超小尺寸的2mm x 2mm TDFN-8封裝和5mm x 3mm的MSOP-8封裝。DG2537/8/9可以用單路或雙路1.6V～5.5V電源工作，封裝形式為MSOP-10。今天發(fā)布的所有模擬開(kāi)關(guān)均可以在兩個(gè)方向上很好地傳導(dǎo)信號(hào)。
開(kāi)關(guān)適用于電路中對(duì)噪聲敏感的信號(hào)切換，例如模擬前端、數(shù)據(jù)采集路徑，可編程增益控制、采樣和保持，以及與ADC和DAC相接的地方。這類(lèi)設(shè)計(jì)通常用于低壓儀器、控制和自動(dòng)化裝置、便攜儀表，以及醫(yī)療保健產(chǎn)品中。DG721/2/3和DG2537/8/9是模擬和數(shù)字信號(hào)的絕佳選擇，非常適合諸如PDA和調(diào)制解調(diào)器等需要對(duì)音視頻和數(shù)字多媒體信號(hào)進(jìn)行路由的應(yīng)用場(chǎng)合。
DG721/2/3和DG2537/8/9采用先進(jìn)的亞微米CMOS技術(shù)制造，典型導(dǎo)通電阻低至2.5Ω且變化曲線十分平坦，可將插入損耗和失真減至最小。器件的典型泄漏電流只有幾皮安，此外，低至8pF的寄生開(kāi)路電容和22pF的導(dǎo)通電容，以及低至1.8pC的電荷注入，可將信號(hào)噪聲減至最小。開(kāi)關(guān)在+3dB下的典型帶寬為366MHz，大于300mA的閂鎖電流符合per JESD78的要求。
器件包含兩個(gè)獨(dú)立的SPST開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)1和開(kāi)關(guān)2是DG721和DG2537的常開(kāi)開(kāi)關(guān)，對(duì)于DG722和DG2538則是常閉開(kāi)關(guān)。對(duì)于DG723和DG2539，開(kāi)關(guān)1是常開(kāi)，開(kāi)關(guān)2是常閉，并具有先開(kāi)后合切換定時(shí)功能。
做為擔(dān)當(dāng)社會(huì)和環(huán)境責(zé)任的業(yè)者，Vishay Siliconix使用無(wú)鉛器件端接制造這些產(chǎn)品。TDFN-8封裝有一個(gè)鎳鈀金器件端接，在訂貨編號(hào)上用代表無(wú)鉛的后綴“E4”來(lái)表示。MSOP封裝采用錫器件端接，用后綴“-E3”表示。兩種器件端接均滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)對(duì)回流焊和MSL等級(jí)的全部要求。模擬開(kāi)關(guān)符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-2的無(wú)鹵素規(guī)定。
