【導讀】Microsemi新型SiC肖特基二極管提升電氣功率轉(zhuǎn)換效率，與硅(Si)材料相比，可以提供更好性能，包括零反向恢復、不受溫度影響特性等。新器件瞄準大功率高壓工業(yè)應用，新型SiC 肖特基二極管現(xiàn)已量產(chǎn)。
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應用。
與硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有多項優(yōu)勢，包括較高的擊穿場強度和更好的導熱性，這些特性可讓設計人員創(chuàng)建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢復、不受溫度影響特性、較高的電壓能力，以及較高的工作溫度，從而達到新的性能、效率和可靠性水平。
除了SiC二極管器件固有的優(yōu)勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片，背部可焊接的D3 封裝SiC 肖特基二極管的制造商，允許設計人員達到更高的功率密度和較低的制造成本。
美高森美公司功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russell Crecraft表示：“我們利用超過25年的功率半導體器件設計和制造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和總體質(zhì)量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要更高的功率密度、更高的工作頻率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能夠幫助系統(tǒng)設計人員滿足這些需求。”
全新1200V SiC 肖特基二極管產(chǎn)品陣容包括：
APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)
APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)
APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)
