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利用先進的電荷平衡技術,導通電阻極低的MOSFET

發布時間:2012-12-27 責任編輯:easonxu

【導讀】新型MOSFET輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss),可提高輕負載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩定性一流,可提高諧振轉換器中系統的可靠性。


服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業電源應用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設計人員需要采用占據更小電路板空間并能提高穩定性的高性價比解決方案。

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產品,幫助設計人員解決這些挑戰。

圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET
圖題:600V N溝道SuperFET II MOSFET

SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產品系列推出,這些MOSFET的輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss),可提高輕負載條件下的效率,另外所提供的體二極管穩定性一流,可提高諧振轉換器中系統的可靠性。

這些MOSFET利用先進的電荷平衡技術,導通電阻極低,并且具有較低的柵極電荷(Qg)性能,可實現較低的品質因數(FOM)。 這些器件集成了某些特性,其中包括可極大降低柵極振蕩并提高系統整體性能的柵極電阻(Rg),從而在簡化設計中減少了元器件數目,實現了效率和性價比更高的設計。

優勢與特點:

SuperFET II MOSFET
開關速度更快,可最大限度提高系統效率
功率密度更高
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
易于設計和使用
開關性能得到優化
電磁干擾(EMI)噪聲低
異常情況下能可靠運行

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