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ST針對太陽能逆變器推出碳化硅二極管替代方案

發布時間:2013-09-13 來源:CNT內容開發總監陳路 責任編輯:cicy

【導讀】ST的超高速串聯二極管非常受市場歡迎,到目前為止,出貨量已超過5千萬顆。今天第二代超高速串聯二極管問世,與第一代產品相比,反向恢復電荷降低了,因此即便開關頻率高達100KHz,只要結溫低于100攝氏度,其性能表現就與SiC二極管差不多,而且價格還至少低30%。SiC二極管的優勢是它的性能跟結溫沒關系,即便結溫高達175攝氏度,性能表現仍是一樣。

ST超高速串聯二極管自問世以來一直深受市場歡迎,至今出貨量已超過5千萬顆。為了讓設計人員以更高成本效益提升電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁的能效,意法半導體(ST)推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管(tandem diodes)。與ST第一代產品相比,新的超高速串聯二極管產品降低了反向恢復電荷(QRR,reverse-recovery charge),從而能夠最大限度降低開關損耗,能效優勢高于標準超高速二極管。QRR 參數變低還有助于加快電路設計的微調速度,縮短設備廠商的新產品上市時間。

第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管性能在開關頻率高達100KHz和結溫低于100攝氏度時,可與碳化硅二極管相媲美,但價格比碳化硅二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結溫的影響,在結溫高于100攝氏度時,SiC二極管性能高于超高速串聯二極管。目前ST已開發出650V、20A的SiC二極管,使得其SiC二極管產品系列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應用。

ST第二代600V、8A/12A超高速串聯二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI,屬于意法半導體600V串聯二極管系列。新產品的正向涌流峰值與超高速二極管相同,確保穩健性和可靠性,工作結溫范圍寬達 -40°C到 175°C。

這三款器件現已全部投入量產,采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。 

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