【導(dǎo)讀】在逆變器電路中，開關(guān)器件的反向恢復(fù)時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進(jìn)行仿真，以確認(rèn)trr對逆變器電路的影響。
逆變器電路的優(yōu)化
● 在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時，要選擇trr小的產(chǎn)品，這一點很重要。
● 如果逆變器電路中的開關(guān)器件的trr大，則開關(guān)損耗會增加。
● 如果逆變器電路中的開關(guān)器件是MOSFET，請仔細(xì)確認(rèn)內(nèi)部二極管的trr特性。
01 反向恢復(fù)時間trr對逆變器電路的影響
在逆變器電路中，開關(guān)器件的反向恢復(fù)時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進(jìn)行仿真，以確認(rèn)trr對逆變器電路的影響。
02 仿真所用的逆變器電路
作為示例，我們使用上一篇文章中給出的Power Device Solution Circuit一覽表中的逆變器電路“B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW”（圖1）。更改該逆變器電路的開關(guān)器件（黃色框）并進(jìn)行仿真，以確認(rèn)trr的影響。
圖1：Power Device Solution Circuit逆變器電路B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW
03 trr特性在逆變器電路中的重要性
圖2顯示了圖1的逆變器電路中開關(guān)時的電流路徑。
在逆變器電路中，為了調(diào)整供給的功率，通過PWM和PFM等的控制，使High side（高邊）和Low side（低邊）的器件交替ON/OFF。圖2中的①～⑤表示其工作過程，并反復(fù)進(jìn)行該工作過程。
著眼點在于從④到⑤的工作中，由于反向恢復(fù)電流在High side從OFF變?yōu)镺N的時間點流過Low side的內(nèi)部二極管，因此，直通電流會從High side流向Low side（紅色所示）。
圖2：開關(guān)時的電流路徑
該反向恢復(fù)電流對續(xù)流側(cè)器件（Low side）本身的損耗影響很小，但如圖3所示，對于開關(guān)側(cè)器件（High side），由于在VDS變化之前這種反向恢復(fù)電流會疊加在正常的開關(guān)電流中，從而會造成非常大的導(dǎo)通損耗。因此，在逆變器電路中，要選擇trr小的開關(guān)器件，這一點很重要。
圖3：開關(guān)側(cè)器件（High side）的導(dǎo)通波形示例以及trr的大小與開關(guān)損耗之間的關(guān)系
04 trr特性差異帶來的開關(guān)損耗比較
圖4是在圖1的逆變器電路中，使用面向普通開關(guān)應(yīng)用的超級結(jié)MOSFET R6047KNZ4作為開關(guān)器件時，以及使用以內(nèi)置二極管的高速trr著稱的PrestoMOS? R6050JNZ4時（圖1的黃色框）的開關(guān)損耗和開關(guān)波形仿真結(jié)果。
圖4：不同trr特性的開關(guān)器件的開關(guān)損耗和波形比較（仿真）
如仿真波形所示，由于trr特性的差異，導(dǎo)通損耗存在顯著差異。與R6047KNZ4相比，內(nèi)部二極管具有高速trr特性的R6050JNZ4的導(dǎo)通損耗降低至約1/5。順便提一下，R6047KNZ4的內(nèi)部二極管的trr為700ns（Typ.），R6050JNZ4為120ns（Typ.），不到1/5。
此外，在分析整個逆變器電路工作期間開關(guān)器件（MOSFET）的損耗時，如圖5所示，可以看出trr對損耗具有很大影響。
圖5：普通開關(guān)MOSFET和高速trr MOSFET的損耗分析
根據(jù)該結(jié)果，可以說在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時，要選擇內(nèi)部二極管具有高速trr的產(chǎn)品，這一點很重要。
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