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貿(mào)澤榮獲Vishay頒發(fā)的三項年度分銷商大獎
2022年7月8日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時獲得知名電子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發(fā)的三項大獎。這三個獎項分別為2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)分銷商、2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)半導(dǎo)體分銷商和2021年度EMEA優(yōu)質(zhì)服務(wù)分...
2022-07-08
貿(mào)澤 Vishay 分銷商獎
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從五大發(fā)展趨勢看，將來如何選擇電源管理芯片
作為電子系統(tǒng)中必不可少的部分，電源模塊極最常見，同時也是極考驗(yàn)硬件工程師功力的部分之一。電源模塊是電子系統(tǒng)中對電能實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換、分配、控制和監(jiān)測等功能的子系統(tǒng)，整個電子系統(tǒng)的功耗、性能、成本和體積都與電源模塊設(shè)計直接相關(guān)。現(xiàn)代大型電子系統(tǒng)正在向高集成、高速、高增益、高可靠性方向發(fā)...
2022-07-08
發(fā)展趨勢 電源管理 芯片
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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動車的未來，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠(yuǎn)續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成...
2022-07-07
安森美 SiC 電動車
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LLC的工作原理（第 I 部分）：電源開關(guān)和諧振腔
LLC 諧振變換器因能滿足現(xiàn)代電源設(shè)計苛刻的性能要求而成為電力電子領(lǐng)域的熱門話題。 LLC 屬于龐大的諧振變換器拓?fù)浼易逑盗校C振腔是該拓?fù)湎盗械幕A(chǔ)特征。諧振腔是一組以特定頻率（稱為諧振頻率）振蕩的電感器和電容器組成的電路。
2022-07-07
LLC 電源開關(guān) 諧振腔
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25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計部分講完了，除了輔助電源設(shè)計的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
SiC直流快充 EV充電系統(tǒng) 輔助電源
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來電！物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備電源設(shè)計指南
隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居自動化和醫(yī)療應(yīng)用中，通過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于便攜式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）來優(yōu)化這些設(shè)備的電源管理的壓力也越來越大。所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾這些設(shè)備實(shí)現(xiàn)無線通信。
2022-07-07
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 電源設(shè)計
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貿(mào)澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發(fā)的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產(chǎn)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器及開關(guān)穩(wěn)壓器的電源制造商。在頒獎典禮上，RECOM表彰了貿(mào)澤在新產(chǎn)品...
2022-07-06
貿(mào)澤 RECOM 分銷商獎
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仿真看世界之SiC單管的開關(guān)特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內(nèi)部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數(shù)如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內(nèi)部芯片的信號，芯片Q1內(nèi)包含寄生電阻R...
2022-07-06
SiC單管 開關(guān)特性
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依然缺貨，銷售額飆升：汽車MCU的市場走勢，你看懂了嗎？
目前，市場上主流的處理器架構(gòu)主要有三種，分別是Intel和AMD領(lǐng)銜的x86架構(gòu)、應(yīng)用廣泛的Arm架構(gòu)以及近幾年風(fēng)聲水起的RISC-V架構(gòu)。作為一家芯片公司，Arm不生產(chǎn)芯片，但全球卻有數(shù)十億設(shè)備運(yùn)行在基于Arm內(nèi)核的芯片上，Arm的芯片技術(shù)幾乎覆蓋了包括智能手機(jī)、汽車以及物聯(lián)網(wǎng)等眾多行業(yè)應(yīng)用。根據(jù)Arm的...
2022-07-06
缺貨 汽車MCU 市場走勢
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