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一招教你如何制作一個全兼容快充適配器
目前快充市場可謂“百花齊放”，各種快充協議讓人眼花繚亂。高通QC2.0/3.0、MTKPE 1.0/2.0和USB PD高壓快充占據市場大壁江山；華為Super Charger、OPPO VOOC、努比亞NeoCharger、高通QC 4．0以及MTK PE3.0低壓直充也發展迅速；魅族、小米、OPPO以及錘子等手機品牌也正在研究更大功率的電荷泵高壓直充...
2018-07-19
快充 適配器 EDP3032
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七招教你輕松改善電感線圈Q值
Q值是衡量電感器件的主要參數。是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。
2018-07-19
電感線圈 Q值 分布電容
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教你如何選擇開關電源串模扼流圈、共模扼流圈
也許你知道開關電源，也了解開關電源串模扼流圈、共模扼流圈，但不一定知道如何選擇開關電源中串模扼流圈、共模扼流圈？那么，本文就是教你如何去選擇的。
2018-07-18
開關電源 串模扼流圈 共模扼流圈
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堪稱工業中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅...
2018-07-18
IGBT 芯片 開關
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如何在電壓控制電路中使用FET（第一部分）
LIS公司生產各種FET（場效應晶體管），特別值得一提的是他們有各種匹配雙器件產品，這種匹配器件封裝有其獨特優勢。例如，如果您在設計一個雙聲道立體聲音頻產品，那么在同一個封裝中包含兩個或四個器件就可以使兩個音頻通道匹配更加緊密。
2018-07-17
技術實例 模擬設計 FET 壓控電阻
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關于直接反電動勢法的無刷直流電機準確換相新方法
分析了上橋臂PWM 調制、下橋臂恒通調制方式時的端電壓波形,討論相應的反電動勢過零點檢測方法。在PWM 調制信號開通狀態結束時刻對端電壓進行采樣,由軟件算法確定反電動勢過零點. 針對電機運行時存在超前換相或滯后換相的情況,通過設置合理的延遲時間來實現最佳換相。
2018-07-16
反電動勢法 無刷直流電機 電機控制
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【防偏磁】半橋隔直電容計算方法！
工程師都知道實際的開關電源半橋拓撲都有一個隔直電容，其實在原理拓撲中是沒有這個電容的。這個電容的存在一定是有它的道理的，該如何理解，又該如何計算它的容量？
2018-07-13
防偏磁 半橋隔直電容 計算方法
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【兩公式搞定】實際帶你計算一個電流互感器！
電流互感器與一般的電壓變壓器的區別在什么地方呢?這個問題即使是資深的磁性元件設計人員也很難回答。基本的區別在于：變壓器試圖把電壓從原邊變換到副邊，而電流互感器試圖把電流從原邊變換到副邊。電流互感器的電壓大小由負載決定。
2018-07-13
電流互感器 開關電源 損耗
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詳解MOSFET與IGBT的本質區別
本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。
2018-07-13
MOSFET IGBT 開關電源
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