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2013年無源標簽銷售額將達4.866億美元
據調研咨詢機構Frost&Sullivan公布的一份調查顯示，北美RFID市場利潤有望穩定攀升，未來6年之內接近5億美元。 Frost&Sullivan還進一步預測未來6年之內，該市場將以21.5%的復合年均增長率(CAGR)發展，其中，加拿大市場的貢獻將增加。
2010-12-14
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MEMS再傳捷報 ST獲中國手機龍頭訂單
隨著白牌、山寨手機相繼導入微機電系統(MEMS)元件后，可望激勵中國大陸MEMS市場規模急速擴張，不少MEMS業者早已摩拳擦掌，競相分食中國大陸手機市場大餅，日前，MEMS元件大廠意法半導體(ST)即已證實取得中國大陸手機龍頭MEMS大單，再挹注該公司的營收貢獻。
2010-12-13
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2020年全球太陽能發電量達成9800億瓦
美太陽能工業協會(Solar Energy Industries Association)表示，受惠于全球積極減少石油消耗量，并減少溫室氣體排放，全球的太陽能電力產能可望在2020年時達成9,800億瓦。
2010-12-09
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Energy Micro任命全球首位Simplicity（簡易工作室?）副總裁
節能微處理器公司Energy Micro 宣布任命?yvind Grotmol為Simplicity副總裁。這次任命旨在支持該公司的目標，即：極大地降低MCU系統的復雜性并減少開發時間。?yvind將負責開發Energy Micro的軟件工具、代碼庫和開發工具包，包括最近宣布開發出來的簡易工作室?（Simplicity Studio?）和即將開發的節能無線電（Energy Friendly Radio-- EFR?）產品。
2010-12-06
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競爭推動網絡電視的市場滲透率快速擴增
市場研究機構 In-Stat 的最新報告指出，中國網絡電視(web-enabled TV)市場在2009年起飛，當年出貨量就超過200萬臺，同時間網絡電視機頂盒(STB)出貨量則約25萬臺。
2010-12-06
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泰科電子展出觸控POS的解決方案
由中國連鎖經營協會主辦的第十二屆中國連鎖店展覽會于日前在南京國際展覽中心順利落幕，泰科電子易觸控系統(Elo TouchSystems)以“觸控POS解決方案”主題盛裝出席。
2010-12-05
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500 PGP-ST系列：Vishay發布新功率鋁電容器適用于電源和脈沖電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新系列螺絲端子功率鋁電容器 --- 500 PGP-ST。這些高效電容器具有1,000μF、450V至15,000μF、400V的容值/電壓組合，提供從50mm x 80mm至90mm x 220mm共9種外形尺寸。
2010-12-03
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ST5540〡ST5541：日置最新發售漏電流測試儀
HIOKI（日置）公司于2010年11月中旬發售3156泄漏電流測試儀的代替品ST5540/5541。
2010-11-26
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條碼技術分析及應用
條碼技術最早產生在風聲鶴唳的二十年代，誕生于Westinghouse的實驗室里。那時候對電子技術應用方面的每一個設想都使人感到非常新奇。他的想法是在信封上做條碼標記，條碼中的信息是收信人的地址，就象今天的郵政編碼。本文就為你講解條碼技術的來源與條碼檢測的方法
2010-11-26
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預計光伏材料近3年增速超40%
國際咨詢公司Frost & Sullivan發表研究報告認為，未來一段時間光伏材料市場將快速增長，預計在2012年，光伏材料的市場總價值將達到32.5億美元，年增長率將達到43.6%，為近幾年內最高。
2010-11-26
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今年全球觸控面板市場 可望突破6億片
根據日本調查公司TechnoSystemsResearch公布的調查報告顯示，因采用全觸控操作方式或搭載QWERTY按鍵的手機數量急速增加、加上美國蘋果公司(Apple)推出全觸控型平板計算機iPad以及All-In-OnePC搭載觸控面板的比重也呈現增加，帶動今(2010)年全球觸控面板市場可望較前年成長31%至6.1億片，且預估2016年其市場規模可望進一步成長至13.6億片的規模。
2010-11-26
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導體器件，在平板顯示、傳感器等領域具有廣泛的應用價值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優點，在薄膜晶體管領域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規SiO2柵介質電容耦合較弱，當前薄膜晶體管的典型工作電壓一般大于10V，大大限制了其在便攜式領域的應用。研究表明，離子液、離子凝膠（IonGels）具有高達 10μF/cm2的低頻雙電層電容。研究人員采用該類雙電層柵介質制作了工作電壓僅為1.0V-2.0V有機薄膜晶體管。但到目前為止，該類柵介質很少用于無機氧化物半導體晶體管器件研制。
2010-11-25
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