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電阻器分類、規格要素及全球頭部廠商對比分析
電阻器分類、規格要素及全球頭部廠商對比分析

電阻器作為電子電路的核心元件,其技術分類體系呈現多維度特征。從材料工藝角度可分為碳膜電阻、金屬膜電阻、繞線電阻、厚膜電阻、薄膜電阻、特種電子六大類。 詳細閱讀>>

干貨"title="干貨" 干貨

電阻作為電子電路中最基礎的元件之一,其核心作用是通過阻礙電流流動來實現對電壓、電流的精準控制。不同種類的電阻在材料、結構、功能上存在顯著差異,直接決定了其適用場景與性能邊界。按材料工藝劃分,電阻可分為碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、金屬氧化膜電阻、厚膜電阻與薄膜電阻等類型。按功能特性劃分,電阻家族包含固定電阻、可變電阻及特殊功能電阻三大類。

厚膜電阻技術解析與應用選型指南

厚膜電阻技術解析與應用選型指南

厚膜電阻作為電子電路基礎元件,采用絲網印刷工藝在氧化鋁基板上沉積電阻漿料(主要成分為RuO?或Ag-Pd合金),經高溫燒結形成功能性電阻層。 詳細閱讀>>

金屬膜電阻技術解析與產業應用指南

金屬膜電阻技術解析與產業應用指南

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金屬膜電阻(Metal Film Resistor)是在高純度陶瓷基板(通常為Al?O?)表面,通過真空沉積工藝形成鎳鉻合金(NiCr)或氮化鉭(TaN)薄膜,再經激光微調達到目標阻值的精密電阻器。 詳細閱讀>>

Vishay推出采用TO-263封裝新款SMD厚膜功率電阻增強瞬態脈沖保護能力

Vishay推出采用TO-263封裝新款SMD厚膜功率電阻增強瞬態脈沖保護能力

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日前,威世科技宣布,其D2TO35系列表面貼裝厚膜功率電阻新增一款通過AEC-Q200認證的器件---D2TO35H,該器件具有更高的脈沖吸收能力,可達15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263(D2PAK)封裝,在+25 °C殼溫下功率耗散為35 W。 詳細閱讀>>

線繞電阻技術解析與選型策略

線繞電阻技術解析與選型策略

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線繞電阻作為功率型電阻的典型代表,采用電阻合金線(如鎳鉻、錳銅)繞制于陶瓷或云母基體,通過精密焊接與封裝工藝制成。 詳細閱讀>>

線繞電阻與碳膜電阻技術對比及選型指南

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線繞電阻與碳膜電阻技術對比及選型指南

線繞電阻采用鎳鉻合金等高電阻率金屬絲繞制在陶瓷骨架上,表面覆蓋絕緣釉層。其電阻值由繞線長度、線徑及合金成分決定,典型溫度系數可達±5ppm/℃,精度可達0.01%(E96系列)。碳膜電阻則通過真空沉積工藝在陶瓷基體形成碳基薄膜,電阻值由膜層厚度和碳濃度控制,溫度系數通常為±200ppm/℃,精度范圍0.5%~5%(E24/E12系列)。 詳細閱讀>>

薄膜電阻技術深度解析與產業應用指南

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薄膜電阻技術深度解析與產業應用指南

薄膜電阻(Thin Film Resistor)通過物理/化學氣相沉積(PVD/CVD)工藝,在陶瓷基板(Al?O?或AlN)表面形成納米級(50-250nm)金屬或合金薄膜(如NiCr、TaN)。 詳細閱讀>>

經典案例 經典案例
線繞電阻在精密儀器與醫療設備中的高精度應用和技術實踐

線繞電阻在精密儀器與醫療設備中的高精度應用和技術實踐

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線繞電阻憑借超低溫度系數(±5ppm/℃以下)、長期穩定性(年漂移率<0.005%)及無感繞制技術,成為精密測量與醫療設備中校準、補償及能量控制的核心元件。本文以實驗室基準電阻、高精度傳感器補償、MRI梯度線圈驅動及高頻電刀功率調節為切入點,解析其技術實現路徑與工程價值。 詳細閱讀>>

厚膜電阻在通信基礎設施中的關鍵應用與技術突破

厚膜電阻在通信基礎設施中的關鍵應用與技術突破

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隨著5G通信技術的商用化進程加速,通信基礎設施對元器件的性能要求日益嚴苛。厚膜電阻憑借其優異的高頻特性、精密控制能力和環境適應性,在5G基站電源、光模塊驅動等核心場景中扮演著不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列為例,深入剖析其在通信基礎設施中的技術實現與應用價值。 詳細閱讀>>

線繞電阻在電力電子與工業控制中的關鍵作用

線繞電阻在電力電子與工業控制中的關鍵作用

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線繞電阻憑借其高功率承載能力、耐高溫特性及優異的穩定性,成為電力電子與工業控制領域的核心元件之一。本文聚焦其在大功率負載與限流場景中的典型應用,結合工業變頻器制動、電力系統測試、電焊機與UPS電源保護等案例,深入剖析其設計原理、技術優勢及工程實踐。 詳細閱讀>>

電阻器行業正經歷從"基礎元件"向"高附加值解決方案"的轉型。國際廠商憑借技術壁壘持續領跑,而國內企業通過聚焦細分領域(如鈞崴電子的電流檢測電阻)和產業鏈協同,逐步縮小差距。未來,技術迭代與市場需求的雙輪驅動下,電阻器行業將在微型化、智能化與綠色化賽道中持續分化,國產替代的深度與廣度將成為衡量行業競爭力的關鍵標尺。

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