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SEMICON 2024圓滿落幕! 快來認(rèn)識(shí)頗爾令人振奮的產(chǎn)品解決方案
2024年3月20-22日,頗爾中國在上海新國際博覽中心N4場(chǎng)館#4471號(hào)為期三天的 SEMICON 2024展覽閃耀亮相。這場(chǎng)展會(huì)匯聚了1100多家半導(dǎo)體展商,現(xiàn)場(chǎng)人頭攢動(dòng), 成為業(yè)界的焦點(diǎn)。
2024-04-07
產(chǎn)品解決方案
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軟件可配置模擬I/O的設(shè)計(jì)理念
在快速發(fā)展的工業(yè)電子領(lǐng)域,軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個(gè)很好的實(shí)例,它提供了一個(gè)多面的模擬信號(hào)處理方法,可按需重新配置,以適應(yīng)各種應(yīng)用。
2024-04-07
軟件 模擬I/O
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng),因?yàn)樗梢蕴峁┏jP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而,電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易,因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩,并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢...
2024-04-07
測(cè)試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)(HS)應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器(<120V)和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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CITE2024即將拉開帷幕,搶先一睹電子信息產(chǎn)業(yè)的未來趨勢(shì)
伴隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、5G、云計(jì)算等數(shù)字技術(shù)的快速發(fā)展與廣泛應(yīng)用,數(shù)字經(jīng)濟(jì)已成為驅(qū)動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和社會(huì)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。今年的《政府工作報(bào)告》更是明確提出,要深入推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新發(fā)展。制定支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展政策,積極推進(jìn)數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化,促進(jìn)數(shù)字技術(shù)和實(shí)體經(jīng)濟(jì)深度融合。
2024-04-07
意法半導(dǎo)體 電子信息產(chǎn)業(yè) 人工智能 大數(shù)據(jù) 5G 云計(jì)算
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ST 通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應(yīng)用開發(fā)者的創(chuàng)造力
意法半導(dǎo)體的 MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評(píng)估開發(fā)工具,與 STM32 微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切,支持Windows、MacOS 和 Linux操作系統(tǒng)。
2024-04-07
意法半導(dǎo)體 MEMS Studio 桌面軟件 傳感器應(yīng)用
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關(guān)于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號(hào)中,都會(huì)使用到AC耦合電容,既然在設(shè)計(jì)高速串行電路時(shí),任何一個(gè)小小的不同都會(huì)引起信號(hào)完整性問題,為什么要在串行鏈路中加入一個(gè)AC耦合電容呢?這個(gè)電容不僅會(huì)導(dǎo)致信號(hào)邊沿變得緩慢,還有可能會(huì)引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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