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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動駕駛汽車中實現5G和DSRC V2X
很顯然，車輛通信是實現更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是，長期以來，汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術應基于蜂窩技術（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來的自動駕駛場景需要協調或組合使用這兩種技術。先進的多無線標準設備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認證，超越市場同類芯片水平
2022年6月7日，美國加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認證，獲得證書，并且其內置的功能安全島為ASIL D級別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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異步DC-DC升壓轉換器（包含續流二極管）還能實現低輻射嗎？
本文嘗試展示帶分立式續流二極管的異步轉換器如何還能實現低輻射。其中將會介紹不同類型的轉換器、布局和封裝，以及為何受控開關非常有效，還會詳細介紹在CISPR 25 5類輻射測試中，低EMI評估電路的通過測試結果。
2022-06-08
DC-DC升壓轉換器 低輻射 ADI
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25 kW SiC直流快充設計指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了電動車快充系統的主要系統要求，概述了系統開發過程中的關鍵階段以及認識了參與設計25 kW SiC直流快充系統的工程師團隊。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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IGBT窄脈沖現象解讀
IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續...
2022-06-03
IGBT 窄脈沖
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瑞薩電子為加速電動汽車電池管理系統開發推出復合驅動軟件
2022 年 6 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，面向電動汽車（EV）車載電池管理系統（BMS）設計人員推出符合AUTOSAR標準的復合驅動程序（CDD）軟件模塊。此款全新軟件與廣受業界好評的瑞薩ISL78714鋰離子電池管理IC配合使用，以加速下一代系統的設計并...
2022-06-02
瑞薩電子 電池管理系統 驅動軟件
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汽車級IGBT/SiC模塊驅動器應該怎么用？首款唯一車硅認證柵極驅動板簡化設計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術培訓經理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅動器系列產品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅動板。
2022-06-02
IGBT/SiC 柵極驅動板 設計
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如何計算驅動芯片的desat保護時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
驅動芯片 desat 保護時間
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