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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-17
功率半導(dǎo)體 IGBT 損耗
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有源前端整流器
介紹針對(duì)電動(dòng)汽車充電器的最佳SiC功率拓?fù)浜驼{(diào)制決策的設(shè)計(jì)技巧,利用指導(dǎo)拓?fù)浜驼{(diào)制決策,有助于消除不可行選項(xiàng),轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項(xiàng)。
2022-06-17
電動(dòng)汽車 整流器
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集成智能第1部分:EMI管理
智能的集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)都有助于使電動(dòng)汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器組合了驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)(如圖1所示)。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機(jī)的長(zhǎng)布線,并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器BLDC EMI
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分):用于電源模塊的柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開(kāi)發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動(dòng)
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場(chǎng)提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開(kāi)爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場(chǎng) 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動(dòng)汽車對(duì)提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來(lái),xEV的普及率一直很高。預(yù)計(jì)2021至2027年間,全球xEV市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到21%,所有細(xì)分市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率都將加快。隨著B(niǎo)EV采用率的快速增長(zhǎng),混合動(dòng)力技術(shù)也將大幅增長(zhǎng)。事實(shí)上,不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動(dòng)汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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